GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers.
19
%
1568 Kč 1 943 Kč
Sleva až 70% u třetiny knih
| Autor: | Godejohann, Birte-Julia |
| Nakladatel: | Fraunhofer Verlag |
| ISBN: | 383961340X |
| Rok vydání: | 2018 |
| Jazyk : | Angličtina |
| Vazba: | brožovaná/paperback |
Mohlo by se vám také líbit..
