Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor
21
%
993 Kč 1 250 Kč
Sleva až 70% u třetiny knih
| Autor: | Belaïd, Mohamed Ali |
| Nakladatel: | LAP Lambert Academic Publishing |
| Rok vydání: | 2012 |
| Jazyk : | Angličtina |
| Vazba: | Paperback / softback |
| Počet stran: | 76 |